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      漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导（dǎo）通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      65

      导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      70

      最大漏极（jí）电流（liú）Id(on)(A)：

      47

      通（tōng）道极性（xìng）：

      N沟道

      封（fēng）装/温度(℃)：

      TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

      描述（shù）：

      600V,70mΩ,47A,N沟道（dào）基于超（chāo）级结（jié）技（jì）术（shù）的功率（lǜ）MOSFET



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